细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅 磁选 PLC碳化硅 磁选 PLC碳化硅 磁选 PLC


东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更
WebJan 26, 2022 东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备 2022年1月26日 东芝电子元件及存储装置株式会社 中国上海——东芝 Web目前,碳化硅功率器件市场增长的主要驱动力是碳化硅二极管在功率因素校正(pfc)电源、光伏中的大规模应用。得益于碳化硅mosfet性能和可靠性的提高,3~5年内碳化 碳化硅功率器件之一 知乎 知乎专栏

让新能源汽车电机更小更轻的碳化硅,在中国发展情况怎么样?
Web相比于IGBT,碳化硅(SiC)是一个更先进的做控制器的电力电子芯片,频率、效率可以做到很高,体积可以非常小。 碳化硅(SiC)器件的工作结温在200℃以上,工作频率 Web碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。除此之外,由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一,所以电阻也大幅降低,从而进一步减少电能损耗。 三菱电机 半导体器件:各应用行业的功率模块产品 碳化硅(SiC)应

如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片? 知乎 知乎专栏
Web近年来,基于宽禁带材料的器件技术的不断发展,碳化硅器件的实际工程应用,受到了越来越广泛的关注。 相较传统的硅基器件,碳化硅MOSFET具有较小的导通电阻以及很快的开 Web碳化硅 磁选 plc 破碎机械设备 碳化硅 磁选 plc 了冲击式和高等级整形机制砂机等,一举打响了国际市场,并为国际尾矿开发人工砂石奠定了坚实的基础在当下经济不景气的非常 碳化硅磁选plc

碳化硅百度百科
WebMay 5, 2023 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然 WebProfessional Learning Communities at Work ® Institute Atlanta, Georgia July 10–12, 2023 $77900 Register Now $74900 per person for teams of 5 or more Solution Tree Professional Learning Communities at Work® Institute Solution

固态自旋缺陷的新星,碳化硅双空位PL6色心 EurekAlert!
WebSep 2, 2021 研究组利用他们之前所发展的离子注入制备碳化硅缺陷色心的技术 [ACS Photonics 6, 17361743 (2019); PRL 124, (2020)] 制备了双空位色心阵列,进一 Web世界500强的供应商有在碳化硅产品上采用双沟槽栅极技术,这比碳化硅mosfet的导通电阻数值更低。特别的是,世界500强的供应商还优化器件的可靠性,世界500强的供应商的碳 大家对碳化硅器件的前景如何看? 知乎

揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅半导体
WebJul 3, 2021 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料,90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 WebJul 17, 2022 碳化硅化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。 此外,碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为95级,仅次于世界上最硬的金刚石 (10级),具有优良的导热性能。 2、材料性能及分类 在碳化硅出现之前,硅基IGBT统治了高压高电流场景,而硅基MOSFET效率远不如IGBT,仅适用于低压场景。 不过,硅基IGBT也存在一些缺点,比 预见2022:《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模、竞

同为第三代半导体的氮化镓和碳化硅,他们在应用上有什么不同?
Web英飞凌是功率半导体市场的领导者,是目前唯一掌握所有电源技术的制造商,其提供的基于硅(如 SJ MOSFET,IGBT)、碳化硅(如肖特基二极管,MOSFET)和氮化镓 (emode HEMT) 器件的产品和技术组合最为广泛,涵盖了裸片、离散和模块解决方案。 CoolMOS™SJ MOSFET 产品在导电性、开关和驱动损耗方面品质出众。 CoolSiC™ 和 Web国产碳化硅器件厂商能在其中切得多大的蛋糕,笔者尚未在网上看到比较详细的数据。但是以碳化硅主要竞品igbt的市占率分布为例,其中国产供应商占据了大约10%的份额。以此为类比,国产碳化硅器件厂商未来的营收规模在34亿至86亿美元之间。碳化硅市场规模有多大,国产厂商能分得几杯羹? 知乎

又一领域打破垄断!第3代半导体原材料,比亚迪已能100%自给自足碳化硅
WebJun 4, 2022 拿硅材料作比,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,而击穿场强是硅的7倍左右,以上两个特性,使碳化硅半导体在高压高功率场景的表现明显优于单硅器件。 2、散热性能更好 此外,碳化硅的热导率是硅的33倍,散热性能良好。 这个特点为碳化硅器件缩小体积创造了天然条件,很好地契合了当前电子组件小型化的行业需求。 3、自然界存量高 碳化硅由 Web碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 αSiC和立方体的βSiC(称立方碳化硅)。 αSiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体,已发现70余种。 βSiC于2100℃以上时转变为αSiC。 碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。 炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。碳化硅百度百科

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研
WebAug 5, 2016 碳化硅mosfet的coss小,降低了器件的关断损耗; 碳化硅mosfet延迟时间小,可以进一步减小死区提高效率,本方案最高效率达到984%; 碳化硅mosfet驱动电荷qg只有硅650vmosfet的10%,减小了开关驱动损耗,能实现更高频率工作,该方案最高工作频率为400khz(图15、16)WebSep 19, 2019 碳化硅不适合做CPU,但是可以做 CPU散热器 。 碳化硅是因高击穿场强、应高压应用而成,如果哪天要做600V级别的CPU,倒是不错的选择。 CPU是高速逻辑器件, 快与成本 是它需要平衡的两个基本指标,因为CPU速度越快,内核工作电压越低,可以在不增加电场强度 碳化硅能做CPU吗? 知乎

碳化硅(SiC)产业研究由入门到放弃(四) 雪球
WebDec 4, 2021 我国碳化硅器件市场约占全球市场的40%~50%,因此预计2025年我国碳化硅MOSFET器件市场规模45~65亿元人民币(约7~10亿美元),2030年我国MOSFET器件市场规模将达120~200亿元人民币。 2 市场格局 欧美日等老牌功率器件强国在碳化硅功率器件上起步较早,全球的产业格局呈现美国、欧洲、日本三强争霸的态势。WebDec 9, 2019 碳化硅MOSFET 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。 在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。 碳化硅驱动 1、半桥两并联功率单元 该产品是青铜剑科技为基本半导体碳化硅 MOSFET 量 浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别 LaoYaoBa

碳化硅化工百科
Web碳化硅陶瓷为高温下强度最高的陶瓷材料,是以碳化硅为主要成分的陶瓷材料。碳化硅是典型的共价键化合物,单位晶胞由相同的硅碳四面体构成,硅原子处于中心,周围是碳。主要有两种晶型:α型,高温型,六方结构;β型,低温型,立方结构。WebSep 2, 2020 碳化硅较硅有何性能优势? 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料,但与SiC相比,则显得效率低下。 SiC现在已开始被多种应用采纳,特别是电动汽车,以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。 SiC由纯硅和碳组成,与硅相比具有三大 碳化硅与硅相比有何优势?适合哪些应用?EDN 电子技术设计

揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅半导体
WebJul 3, 2021 碳化硅是第三代半导体材料,作为宽禁带半导体材料的一种,与硅的主要差别在禁带宽度上,这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一,能量损失减少了四分之三,成为制备高压及高频器件新的衬底材料。 碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间,2019 年全球碳化硅功率器件市场规模为 541 亿美元,预计 2025 年将增长至 2562 亿 WebSep 2, 2020 碳化硅较硅有何性能优势? 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料,但与SiC相比,则显得效率低下。 SiC现在已开始被多种应用采纳,特别是电动汽车,以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。 SiC由纯硅和碳组成,与硅相比具有三大 碳化硅与硅相比有何优势?适合哪些应用?EDN 电子技术设计

国产碳化硅衬底材料崛起,英飞凌签约两家中国供应商电子工程专辑
WebMay 4, 2023 碳化硅(SiC)属于第三代半导体材料,和代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体材料相比,具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势,特别适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。 比如电动汽车应用碳化硅器件做逆变器、变压器,甚至是车载充电桩,可以做得体积小,重量轻,这样提高电动汽车的续航里程,同时 Web英飞凌是功率半导体市场的领导者,是目前唯一掌握所有电源技术的制造商,其提供的基于硅(如 SJ MOSFET,IGBT)、碳化硅(如肖特基二极管,MOSFET)和氮化镓 (emode HEMT) 器件的产品和技术组合最为广泛,涵盖了裸片、离散和模块解决方案。 CoolMOS™SJ MOSFET 产品在导电性、开关和驱动损耗方面品质出众。 CoolSiC™ 和 同为第三代半导体的氮化镓和碳化硅,他们在应用上有什么不同?

碳化硅(SiC)产业研究由入门到放弃(一) 雪球
WebDec 4, 2021 碳化硅陶瓷纤维主要用作耐高温材料和增强材料,耐高温材料包括热屏蔽材料、耐高温输送带、过滤高温气体或熔融金属的滤布等;用做增强材料时,常与碳纤维或玻璃纤维合用,以增强金属(如铝)和陶瓷为主,如做成喷气式飞机的刹车片、发动机叶片、着陆齿轮箱和机身结构材料等,还可用做体育用品,其短切纤维则可用做高温炉材等。 (5) WebMar 15, 2023 采用PVT法生长碳化硅晶体的三个主要技术难点是:晶体杂质多、生长过程进程控制复杂以及制备完成后的后续工艺不健全。 其次, PVT法生长碳化硅晶体速度缓慢且条件苛刻 。 碳化硅生长进程控制复杂,碳化硅气相生长温度在2300℃以上,压力350MPa,而硅仅需1600℃左右。 此外,PVT法生长碳化硅的速度缓慢, 7天才能生长2cm左右。 而 硅 作为晶圆衬底,6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比,哪个更好?为

请问如何查找碳化硅单晶衬底的价格? 知乎
Web碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,具有高频、高压、大功率、低功耗的优点。 单晶状态的碳化硅即为碳化硅单晶,是重要的宽禁带半导体材料,主要包括3C、4H、6H等异构体。 碳化硅单晶制备得到的氮化硅衬底,是制造碳化硅器件的关键基础材料,为降低碳化硅器件生产成本,大尺寸碳化硅单晶成为发展趋势。 碳化硅产业链包括衬底制造、外延生长、器件 WebAug 5, 2016 碳化硅MOSFET在软开关桥式上具有以下明显的优势: 高阻断电压可以简化拓扑设计,电路从复杂三电平变为两电平全桥电路,提高可靠性; 由于拓扑简化,采用硅基650V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通,所以实际等效导通损耗会比采用全桥拓扑的1000V碳化硅MOSFET要大; 低寄生电容如输入电容 (Ciss),输出电容 (Coss) 基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研

碳化硅能做CPU吗? 知乎
WebSep 19, 2019 碳化硅是因高击穿场强、应高压应用而成,如果哪天要做600V级别的CPU,倒是不错的选择。 CPU是高速逻辑器件, 快与成本 是它需要平衡的两个基本指标,因为CPU速度越快,内核工作电压越低,可以在不增加电场强度下,缩短电子迁移距离。 成本包括制造成本和使用成本两个方面,这也就是计算机CPU停滞在10nm,CPU追 Web在有颗粒或磨粒介质的情况下可以选择硬对硬的组队,如碳化硅对碳化硅,硬质合金对硬质合金,在选择的时候建议不要选择同种材料的组队,迫不得已必须要选择的情况下也建议选择不同的牌号来使用,如硬质合金对硬质合金的情况下就不要用YG6对YG6,可以选择为YG6对YG8。 另外,在选择软对硬的组对时还要考虑软环的受压情况,对于软环来说,承受正 机械密封动环静环有合金,陶瓷,石墨,碳化硅等,该怎么选择,

绿碳化硅? 知乎
Web名称:纳米碳化硅 立方碳化硅 βSiC 碳化硅微粉 化学式: βSiC 纳米碳化硅粉 颜色:灰绿色 灰白色(粒径不同颜色不同) 纳米碳化硅粉 晶体:立方 熔点:2973℃ 密 度:3216 g/cm3 莫氏硬度:92596 粒度: 纳米 级 微米级 纯度: 999% 9999% 99999% (粒径纯度规格等支持按要求定制) 纳米碳化硅粉 碳化硅粉价格,纳米碳化硅粉末多少钱一公斤? 碳化 Web碳化硅的硬度很高,莫氏硬度为92~95,但比金刚石、立方氮化硼等几种物质稍低。 碳化硅的热导率很高,大约为氮化硅的2倍;其热膨胀系数约为三氧化二铝的一半;抗弯强度接近氮化硅材料,但断裂韧性比氮化硅小。 不溶于水和一般的酸。 其化学稳定性好,具有化学惰性。 不与氢氟酸、硝酸的混酸反应;与熔融的碱金属接触会慢慢分解成碳酸盐和硅酸 碳化硅化工百科

2023年碳化硅(SiC)功率器件行业市场前景分析报告睿略咨询商
WebFeb 26, 2023 2023/02/26 18:35 本报告的研究对象为全球与中国碳化硅(SiC)功率器件行业,研究内容包括碳化硅(SiC)功率器件行业国内外发展状况、产业链、规模及发展增速、市场竞争情况、产品种类、应用领域、细分地区等方面。 通过对研究期间碳化硅(SiC)功 Web碳化硅是性能优异的 宽禁带半导体材料 ,适用于高温高功率器件,同时也是蓝紫光 发光材料 。 有两种制备方法:(1) 在 二氧化硅 上直接制备碳化硅,即在二氧化硅片上淀积一层非晶硅,退火使其成为多晶硅,再将碳离子注入多晶硅层形成多晶碳化硅;(2) 采用氢离子注入导致碳化硅的智能剥离的方法。 [1] 参考资料 1 绝缘体上碳化硅材料 .大辞海[引用日 绝缘体上碳化硅材料 百度百科
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